MOSFET

MOSFET 噪声模型全揭秘:特性、建模与参数提取

在现代电子电路设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)凭借其卓越的性能和广泛的应用,成为了不可或缺的关键器件。然而,MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响,尤其在无线通...

分类:基础电子 时间:2025-08-01 阅读:100 关键词:MOSFET

mosfet管导通条件

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通条件取决于其类型(N沟道或P沟道)和工作模式(增强型或耗尽型)。以下是详细分析:1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET(NMOS)增强型(常闭型):栅源电压 VGSVGS > ...

分类:元器件应用 时间:2025-07-22 阅读:332 关键词:mosfet管

安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器:电动汽车电力系统创新引领者

在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必...

分类:基础电子 时间:2025-07-10 阅读:180 关键词:SiC MOSFET

全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘

在电子元器件的领域中,功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明,那么毫无疑问,MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年,关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表,195...

分类:基础电子 时间:2025-07-10 阅读:139 关键词: MOSFET

解析 Littelfuse SMFA:非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护

在当今的电源和电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步,开关损耗也在持续降低。然而,随着开关速度的不断提高,设计人...

分类:安防监控 时间:2025-06-24 阅读:197 关键词: TVS 二极管

深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法

在电力电子领域,为了确保 SiC(碳化硅)模块的安全使用,精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温,并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...

分类:基础电子 时间:2025-06-19 阅读:212 关键词: SiC MOSFET

SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策

在电力电子领域的不断发展进程中,SiC MOSFET 模块由于其优异的性能,如高开关速度、低导通电阻等,被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...

分类:基础电子 时间:2025-05-30 阅读:283 关键词:SiC MOSFET

IGBT与MOSFET的区别

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)都是现代电力电子中的核心开关器件,但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比: 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOS...

分类:元器件应用 时间:2025-05-19 阅读:352 关键词:IGBTMOSFET

ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”:超低导通电阻助力快速充电革新

在当今电子设备飞速发展的时代,快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求,全球知名半导体制造商 ROHM(总部位于日本京都市)于 2025 年 5 月 15 日宣布,推出一款具有...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2025-05-16 阅读:281 关键词:ROHM

增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么?

增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(Depletion-mode)MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式,它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析: 1. 阈值电压(VGS(th)VG...

分类:基础电子 时间:2025-04-29 阅读:270 关键词:MOSFET

新的自动平衡MOSFET迎合3.3-V超级电容器

提供精确电压和泄漏电流平衡的新MOSFET已准备好服务于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超级电容器。几乎没有电源来平衡细胞平衡,并促进了在串联串联堆栈中为每个超级电容器的电...

分类:元器件应用 时间:2025-04-11 阅读:1180 关键词:超级电容器

将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步

Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失,这可能会主导P/N二极管损失,尤其是在较高的温度,快速转换过渡和高流动应用下。除了...

分类:元器件应用 时间:2025-03-20 阅读:399 关键词:二极管

为什么电力电子系统中使用低压MOSFET?

低压技术  与N通道MOSFET相比,P通道MOSFET代表相对较小的份额,低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性,以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构...

时间:2025-02-19 阅读:314 关键词:MOSFET

低压电源MOSFET设计

低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行,通常低于100 V,但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用,即使电源电压很低。关键功能包括以...

分类:基础电子 时间:2025-02-10 阅读:242 关键词:MOSFET

SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护

短路原点  电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起,包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。  负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件...

分类:安防监控 时间:2024-12-19 阅读:402 关键词:SiC MOSFET

关于模拟布局中的堆叠 MOSFET

这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如,将三个 1 um MOSFET 串联起来,可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件(图 1)。  关于模拟布局中的堆叠式 MO...

分类:模拟技术 时间:2024-12-11 阅读:360 关键词:MOSFET

设计基于 SiCMOSFET 的 66kW 双向电动汽车车载充电器

随着世界转向更清洁的燃料替代品,电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外,配备足够电池容量的电动汽车可用于支持独立负载(V2L)和补充电网电力(V2G)。由此可见,电动...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2024-12-03 阅读:924 关键词:电动汽车

研究 25kW 并联 SiC MOSFET DAB 转换器的性能

分立器件与电源模块  SiC MOSFET在电动汽车充电器和光伏逆变器等各个领域获得了广泛关注,这主要归功于其卓越的开关速度、效率和热性能。虽然 SiC MOSFET 的特性使其适用...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2024-11-29 阅读:739 关键词: SiC MOSFE

使用高置信度 MOSFET 的基于模型的电源转换器设计

设计电源转换器时,仿真模型可用于帮助权衡多种设计标准。有源器件的基于开关的简单模型用于快速仿真,从而获得更多的工程见解。然而,简单的设备模型不会像详细的制造商设...

分类:电源技术 时间:2024-10-18 阅读:926 关键词:电源转换器

模拟 IC 设计中的 MOSFET 非理想性

我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET,并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长,因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而,后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...

分类:模拟技术 时间:2024-08-13 阅读:961 关键词:模拟 IC

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